PJC7401_R1_00001
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

PJC7401_R1_00001

Product Overview

Κατασκευαστής:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

PJC7401_R1_00001-DG

Περιγραφή:

SOT-323, MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-323

Αποθέμα:

28458 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12964222
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

PJC7401_R1_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
115mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
443 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
350mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-323
Συσκευασία / Θήκη
SC-70, SOT-323
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJC7401

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3757-PJC7401_R1_00001TR
3757-PJC7401_R1_00001CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J374R,LXHF

SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10

vishay-siliconix

SIR880ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

onsemi

NTPF250N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K376R,LXHF

SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30