Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMFS006N12MCT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMFS006N12MCT1G-DG
Περιγραφή:
POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 120 V 15A (Ta), 93A (Tc) 2.7W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Αποθέμα:
12989821
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMFS006N12MCT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
120 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
15A (Ta), 93A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6mOhm @ 46A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 260µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3365 pF @ 60 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.7W (Ta), 104W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN, 5 Leads
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
488-NTMFS006N12MCT1GTR
488-NTMFS006N12MCT1GDKR
488-NTMFS006N12MCT1GCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIHFPS40N50L-GE3
POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
TK19A50W,S5X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
RA1C030LDT5CL
NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006: