Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RA1C030LDT5CL
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RA1C030LDT5CL-DG
Περιγραφή:
NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DSN1006-3
Αποθέμα:
14869 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12989840
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RA1C030LDT5CL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
140mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
+7V, -0.2V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
150 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DSN1006-3
Συσκευασία / Θήκη
3-XFDFN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
15,000
Άλλα ονόματα
846-RA1C030LDT5CLCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TK14V65W,LQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
UJ4SC075009B7S
750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
BSC005N03LS5ATMA1
TRENCH <= 40V
