Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMFD4C86NT3G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMFD4C86NT3G-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Αποθέμα:
12856526
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMFD4C86NT3G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.3A, 18.1A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22.2nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1153pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
1.1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-DFN (5x6)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMFD4
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
ONSONSNTMFD4C86NT3G
2156-NTMFD4C86NT3G-OS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
HP8KA1TB
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2500
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
HP8KA1TB-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.41
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTJD3158CT2G
MOSFET N/P-CH 20V 0.63A SC88
NVMFD5877NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
NDS8858H
MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC