Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMFD4C20NT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMFD4C20NT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 9.1A, 13.7A 1.09W, 1.15W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Αποθέμα:
3 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12841274
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMFD4C20NT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.1A, 13.7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
970pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
1.09W, 1.15W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMFD4
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
NTMFD4C20NT1GOSDKR
ONSONSNTMFD4C20NT1G
NTMFD4C20NT1G-DG
NTMFD4C20NT1GOSCT
NTMFD4C20NT1GOSTR
2156-NTMFD4C20NT1G-OS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTJD4105CT2
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
NVMFD5875NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
NTZD3156CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
