NTJD4105CT2
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTJD4105CT2

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTJD4105CT2-DG

Περιγραφή:

MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Αποθέμα:

12841284
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTJD4105CT2 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V, 8V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
630mA, 775mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
46pF @ 20V
Ισχύς - Μέγιστη
270mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88/SC70-6/SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTJD4105

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTJD4105CT2G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5990
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTJD4105CT2G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.08
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NVMFD5875NLWFT1G

MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN

onsemi

NTZD3156CT1G

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

onsemi

NDS9955

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC

onsemi

NTMFD5C680NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN