Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTMD2P01R2G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTMD2P01R2G-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 16V 2.3A 710mW Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
12856505
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTMD2P01R2G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
16V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.3A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
750pF @ 16V
Ισχύς - Μέγιστη
710mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTMD2P
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
NTMD2P01R2GOS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTMD6P02R2G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3322
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTMD6P02R2G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.43
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTGD3148NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
NTUD3127CT5G
MOSFET N/P-CH 20V 0.16A SOT963
NTMFD4C86NT3G
MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
