Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTLLD4951NFTWG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTLLD4951NFTWG-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3)
Αποθέμα:
12856380
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTLLD4951NFTWG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.5A, 6.3A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
17.4mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
605pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
800mW, 810mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-WDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-WDFN (3x3)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTLLD4951
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2156-NTLLD4951NFTWG-OS
ONSONSNTLLD4951NFTWG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMC8200S
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMC8200S-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.41
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
NTMD6N03R2
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
NTQD6968NR2G
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
