FDMC8200S
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMC8200S

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMC8200S-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 6A, 8.5A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)

Αποθέμα:

12848119
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMC8200S Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A, 8.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
660pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
700mW, 1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-Power33 (3x3)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMC82

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMC8200S-DG
FDMC8200SDKR
FDMC8200STR
2832-FDMC8200STR
FDMC8200SCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDMA2002NZ_F130

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

infineon-technologies

IPG20N06S2L35AATMA1

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

onsemi

NDS9933A

MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8SOIC

onsemi

FDG6313N

MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88