Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTLJD4150PTBG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTLJD4150PTBG-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 1.8A 700mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Αποθέμα:
12847991
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTLJD4150PTBG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.8A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
135mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
300pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
700mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-WDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-WDFN (2x2)
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTLJD41
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMDPB70XP,115
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3754
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMDPB70XP,115-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.10
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMDPB58UPE,115
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
17912
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMDPB58UPE,115-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.11
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDG6306P
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
NVMFD5877NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
FDMD86100
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
