Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMD86100
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMD86100-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
Αποθέμα:
1093 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12848017
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMD86100 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Last Time Buy
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Source
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
30nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2060pF @ 50V
Ισχύς - Μέγιστη
2.2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-Power 5x6
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMD86
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMD86100CT
FDMD86100TR
FDMD86100DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDC6561AN
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
FDMA6023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
AO7600_001
MOSFET N/P-CH 20V 0.9A SC70-6
