Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTJD1155LT1
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTJD1155LT1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Αποθέμα:
12857498
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTJD1155LT1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
8V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.3A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
400mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88/SC70-6/SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTJD1155
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTJD1155LT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
141507
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTJD1155LT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.13
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF7311PBF
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
NVMFD5C470NT1G
MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
NTGD4167CT1G
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
