Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTGD4167CT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTGD4167CT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
Αποθέμα:
928248 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12857549
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTGD4167CT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.6A, 1.9A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
295pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
900mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTGD4167
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NTGD4167CT1GOSDKR
2156-NTGD4167CT1G-OS
NTGD4167CT1GOSTR
Q13728537
2832-NTGD4167CT1GTR
NTGD4167CT1G-DG
NTGD4167CT1GOSCT
ONSONSNTGD4167CT1G
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTLUD3A50PZTAG
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
NVMFD5483NLWFT3G
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
NVTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88