Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTHS4166NT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTHS4166NT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount ChipFET™
Αποθέμα:
461 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12860637
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTHS4166NT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
900 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ChipFET™
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTHS4166
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2156-NTHS4166NT1G-OS
ONSONSNTHS4166NT1G
NTHS4166NT1GOSDKR
NTHS4166NT1GOSCT
2832-NTHS4166NT1GTR
NTHS4166NT1GOSTR
NTHS4166NT1G-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVHL110N65S3F
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
NTMFS5C442NLTT3G
MOSFET N-CH 40V 28A/130A 5DFN
FK4B01100L1
MOSFET N-CH 12V 3.4A XLGA004
