NVHL110N65S3F
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NVHL110N65S3F

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NVHL110N65S3F-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-247-3

Αποθέμα:

450 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12860642
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
TotH
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NVHL110N65S3F Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperFET® III, FRFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 3mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2560 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
240W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVHL110

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
NVHL110N65S3FOS
NVHL110N65S3F-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTMFS5C442NLTT3G

MOSFET N-CH 40V 28A/130A 5DFN

panasonic

FK4B01100L1

MOSFET N-CH 12V 3.4A XLGA004

renesas-electronics-america

H5N2307LSTL-E

MOSFET N-CH HS SW TO-263

renesas-electronics-america

RJK0355DSP-01#J0

MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP