Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTH4L040N65S3F
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTH4L040N65S3F-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 65A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Αποθέμα:
340 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12856687
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTH4L040N65S3F Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
FRFET®, SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
65A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 2.1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
158 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5940 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
446W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4L
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTH4L040
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
1990-NTH4L040N65S3F
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTH4L040N65S3F
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
340
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTH4L040N65S3F-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
11.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STD25P03LT4G
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
NDS7002A_NB9GGTXA
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
NTP60N06G
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB