Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTD600N80S3Z
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTD600N80S3Z-DG
Περιγραφή:
MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 8A (Tj) 60W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Αποθέμα:
2553 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12967146
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTD600N80S3Z Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Tj)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.8V @ 180µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
725 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
60W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252 (DPAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
488-NTD600N80S3ZDKR
488-NTD600N80S3ZTR
488-NTD600N80S3ZCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD80R280P7ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
10179
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD80R280P7ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIHB17N80E-T1-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
RRS075P03Z00TB1
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
AO6401
MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP
