Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
UF3SC065040D8S
Product Overview
Κατασκευαστής:
Qorvo
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
UF3SC065040D8S-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)
Αποθέμα:
12967200
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
UF3SC065040D8S Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Qorvo
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
58mOhm @ 20A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
43 nC @ 12 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-DFN (8x8)
Συσκευασία / Θήκη
4-PowerTSFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
UF3SC065040
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
2312-UF3SC065040D8SDKR
2312-UF3SC065040D8STR
2312-UF3SC065040D8SCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ISL9N308AD3
N-CHANNEL POWER MOSFET
ISL9N315AD3
N-CHANNEL POWER MOSFET
ISL9N322AP3
N-CHANNEL POWER MOSFET