Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTD23N03R-001
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTD23N03R-001-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 25 V 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) Through Hole I-PAK
Αποθέμα:
12840814
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTD23N03R-001 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.76 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
225 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
I-PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTD23
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
=NTD23N03R=001
ONSONSNTD23N03R-001
2156-NTD23N03R-001
=NTD23N03R
NTD23N03R-001OS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTD5413NT4G
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
NVMJS1D5N04CLTWG
MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
NVMFS6B05NLT1G
MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
