Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVMJS1D5N04CLTWG
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVMJS1D5N04CLTWG-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 38A (Ta), 200A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Αποθέμα:
12840840
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVMJS1D5N04CLTWG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
38A (Ta), 200A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 130µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4300 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-LFPAK
Συσκευασία / Θήκη
SOT-1205, 8-LFPAK56
Βασικός αριθμός προϊόντος
NVMJS1
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NVMJS1D5N04CLTWGOS
NVMJS1D5N04CLTWGOS-DG
NVMJS1D5N04CLTWGOSTR
NVMJS1D5N04CLTWGOSCT
NVMJS1D5N04CLTWGOSDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVMFS6B05NLT1G
MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
FQPF85N06
MOSFET N-CH 60V 53A TO220F
HUF75639S3ST
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
