NIF9N05CLT3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NIF9N05CLT3

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NIF9N05CLT3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 52 V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)

Αποθέμα:

RFQ Online
12860923
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NIF9N05CLT3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
52 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
250 pF @ 35 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.69W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223 (TO-261)
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
NIF9N05

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
NIF9N05CLT3
Φύλλα δεδομένων
NIF9N05CL
HTML Δελτίο δεδομένων
NIF9N05CLT3-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
ONSONSNIF9N05CLT3
2156-NIF9N05CLT3
2156-NIF9N05CLT3-ONTR-DG
NIF9N05CLT3OS

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXMN6A11GTA
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1669
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXMN6A11GTA-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.22
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSP320SH6327XTSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
813
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSP320SH6327XTSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STN3NF06L
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
11330
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STN3NF06L-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.35
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXMS6006DGTA
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
15779
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXMS6006DGTA-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.48
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IRF640NSTRRPBF

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

renesas-electronics-america

NP50P06SDG-E1-AY

MOSFET P-CH 60V 50A TO-252

infineon-technologies

IRLU3636PBF

MOSFET N-CH 60V 50A IPAK

onsemi

NTHS5441T1G

MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET