ZXMN6A11GTA
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

ZXMN6A11GTA

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

ZXMN6A11GTA-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Αποθέμα:

1669 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12886518
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

ZXMN6A11GTA Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
330 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMN6

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
ZXMN6A11GTR-NDR
ZXMN6A11GCT
ZXMN6A11GDKR
ZXMN6A11GTR
ZXMN6A11GCT-NDR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

ZXMP6A13GTA

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223

diodes

ZXMN3A01FTA

MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

diodes

ZXMP4A16GQTA

MOSFET P-CH 40V SOT223

diodes

ZVN2110A

MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3