Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NDS9959
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NDS9959-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 50V 2A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
12856752
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NDS9959 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
250pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
900mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
NDS995
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
NDS9959TR
NDS9959TR-NDR
NDS9959CT-NDR
NDS9959DKR
NDS9959CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXMN6A11DN8TA
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4519
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXMN6A11DN8TA-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.27
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVMFD5C680NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
VEC2315-TL-H
MOSFET 2P-CH 60V 2.5A SOT28
NVTJD4001NT2G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
