Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NDS9925A
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NDS9925A-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 4.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
12856690
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NDS9925A Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
900mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
NDS992
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7103TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
9567
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7103TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTHD4502NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
NTQD6866R2G
MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
