NDS0610
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NDS0610

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NDS0610-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 120mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

54808 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12858892
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NDS0610 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
79 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
360mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
NDS061

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NDS0610DKR
NDS0610CT
NDS0610TR-NDR
NDS0610CT-NDR
NDS0610TR
FAIFSCNDS0610
2156-NDS0610

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTP110N65S3HF

MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

onsemi

NTZS3151PT5G

MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563

onsemi

NVTFS5811NLTWG

MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN

onsemi

NTD23N03R-1G

MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK