Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTP110N65S3HF
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTP110N65S3HF-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
12858898
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTP110N65S3HF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
FRFET®, SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 740µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2635 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
240W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTP110
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
NTP110N65S3HF-DG
NTP110N65S3HFOS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTZS3151PT5G
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
NVTFS5811NLTWG
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
NTD23N03R-1G
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK