HUF75329G3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

HUF75329G3

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

HUF75329G3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 55 V 49A (Tc) 128W (Tc) Through Hole TO-247-3

Αποθέμα:

12839254
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

HUF75329G3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
UltraFET™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
55 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
49A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 49A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
75 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1060 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
128W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
HUF75

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
150

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTH80N075L2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
226
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTH80N075L2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDS7066ASN3

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

onsemi

FQB55N06TM

MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

onsemi

FQD13N10LTM_NBEL001

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

onsemi

FDT458P

MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4