FDT458P

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDT458P

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDT458P-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4

Λεπτομερής Περιγραφή:

P-Channel 30 V 3.4A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Αποθέμα:

5713 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12839270

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDT458P Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

P-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

30 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

3.4A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

3V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

3.5 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

205 pF @ 15 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

3W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SOT-223-4

Συσκευασία / Θήκη

TO-261-4, TO-261AA

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDT458

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

4,000

Άλλα ονόματα

FDT458P-DG

FDT458PCT

FDT458PDKR

FDT458PTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

infineon-technologies

AUIRLR3110Z

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

onsemi

FQD30N06TF

MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

infineon-technologies

AUIRF5210STRL

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

onsemi

FQPF7N10

MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F