FQU1N80TU

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FQU1N80TU

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FQU1N80TU-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 800V 1A IPAK

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 800 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole IPAK

Αποθέμα:

RFQ Online

12837942

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FQU1N80TU Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

QFET®

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

800 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

1A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

20Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

7.2 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

195 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

2.5W (Ta), 45W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

IPAK

Συσκευασία / Θήκη

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Βασικός αριθμός προϊόντος

FQU1N80

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

FQD1N80, FQU1N80

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

70

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

Not Applicable

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FQPF2N80

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

infineon-technologies

AUIRF4905S

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

onsemi

2SK4099LS-1E

MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS

FDZ7064N

MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA