FQPF2N80

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FQPF2N80

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FQPF2N80-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Αποθέμα:

987 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12837952

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FQPF2N80 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Tube

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

800 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

1.5A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

6.3Ohm @ 750mA, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

550 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

35W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-220F-3

Συσκευασία / Θήκη

TO-220-3 Full Pack

Βασικός αριθμός προϊόντος

FQPF2

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

1,000

Άλλα ονόματα

488-FQPF2N80

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

Not Applicable

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

infineon-technologies

AUIRF4905S

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

onsemi

2SK4099LS-1E

MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS

FDZ7064N

MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA

onsemi

HUF76429S3ST

MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK