Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FQI11N40TU

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FQI11N40TU-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 400 V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK

Αποθέμα:

RFQ Online

12848201

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FQI11N40TU Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

400 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

11.4A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

480mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

35 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

1400 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

I2PAK

Συσκευασία / Θήκη

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Βασικός αριθμός προϊόντος

FQI1

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

50

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FDP8860

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

infineon-technologies

BTS115ANKSA1

MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB

onsemi

FQP18N20V2

MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3

onsemi

BS107G

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3