Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BS107G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BS107G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)
Αποθέμα:
12848208
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BS107G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
350mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-92 (TO-226)
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Βασικός αριθμός προϊόντος
BS107
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
BS107GOS
BS107G-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AOUS66616
MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8
FDC604P
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
AOW11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
