FDT457N
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDT457N

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDT457N-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Αποθέμα:

15170 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12836168
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDT457N Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.9 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
235 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-65°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223-4
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDT457

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
FDT457N
Φύλλα δεδομένων
FDT457N
HTML Δελτίο δεδομένων
FDT457N-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
FDT457N-DG
FDT457NDKR
FDT457NCT
FDT457NTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQA40N25

MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN

onsemi

2SK4065-E

MOSFET N-CH 75V 100A SMP

infineon-technologies

AUIRFS4115-7TRL

MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK

onsemi

FDR6674A

MOSFET N-CH 30V 11.5A SUPERSOT8