FDR6674A
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDR6674A

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDR6674A-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 11.5A SUPERSOT8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8

Αποθέμα:

12836189
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDR6674A Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
46 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5070 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.8W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SuperSOT™-8
Συσκευασία / Θήκη
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDR66

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS6670A
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Fairchild Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2525
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS6670A-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.36
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQB8N60CTM

MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

onsemi

ATP301-TL-H

MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK

onsemi

5HN01M-TL-E

MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP

onsemi

FDMC007N08LCDC

MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN