FDS9435A-NBAD008
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDS9435A-NBAD008

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDS9435A-NBAD008-DG

Περιγραφή:

-30V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

1625000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12997584
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDS9435A-NBAD008 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
528 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
2156-FDS9435A-NBAD008TR
2832-FDS9435A-NBAD008TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

BSS123-F169

MOSFET N-CH SOT23

goford-semiconductor

GT52N10D5

N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1

goford-semiconductor

GT100N12K

N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5

goford-semiconductor

GT025N06AM

N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.