Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
GT52N10D5
Product Overview
Κατασκευαστής:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
GT52N10D5-DG
Περιγραφή:
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 71A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5.2x5.86)
Αποθέμα:
14080 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12997597
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
GT52N10D5 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SGT
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
71A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2626 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
Standard
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
79W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-DFN (5.2x5.86)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
3141-GT52N10D5DKR
3141-GT52N10D5TR
3141-GT52N10D5CT
4822-GT52N10D5TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
GT100N12K
N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
GT025N06AM
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
GT025N06AM
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
