Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDG8842CZ
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDG8842CZ-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 30V 0.75A SC88
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V, 25V 750mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Αποθέμα:
12837756
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDG8842CZ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V, 25V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
750mA, 410mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.44nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
120pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
300mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88 (SC-70-6)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDG8842
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDG8842CZDKR
FDG8842CZTR
FDG8842CZCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTJD4105CT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
22900
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTJD4105CT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.09
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AUIRF7103Q
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
FDC6327C
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
