Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDS5170N7
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDS5170N7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 10.6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Αποθέμα:
12840443
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDS5170N7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10.6A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2889 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO FLMP
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS51
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDS5170N7_NL
FDS5170N7DKR
FDS5170N7_NLCT
FDS5170N7_NLTR
FDS5170N7CT
FDS5170N7_NLCT-DG
FDS5170N7CT-NDR
FDS5170N7_NLTR-DG
FDS5170N7TR
FDS5170N7TR-NDR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTK3134NT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723
FDMS0306S
INTEGRATED CIRCUIT
HUF76009D3ST
MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
