5HN01M-TL-E
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

5HN01M-TL-E

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

5HN01M-TL-E-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount MCP

Αποθέμα:

12836197
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

5HN01M-TL-E Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6.2 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
150mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
MCP
Συσκευασία / Θήκη
SC-70, SOT-323
Βασικός αριθμός προϊόντος
5HN01

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2156-5HN01M-TL-E
2156-5HN01M-TL-E-ONTR-DG
ONSONS5HN01M-TL-E

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7002WT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
51177
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7002WT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDMC007N08LCDC

MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN

infineon-technologies

BSC015NE2LS5IATMA1

MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON

onsemi

BMS3003-1E

MOSFET P-CH 60V 78A TO220F-3SG

onsemi

CPH3461-TL-H

MOSFET N-CH 250V 350MA 3CPH