FDN337N-F169
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDN337N-F169

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDN337N-F169-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

12926746
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDN337N-F169 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
300 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDN337

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDN337N
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDN337N-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.13
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
microsemi

JANTX2N6788

MOSFET N-CH 100V 6A TO39

onsemi

NTMS4807NR2G

MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC

onsemi

FQB630TM

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

onsemi

HUF76609D3S

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK