Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
JANTX2N6788
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
JANTX2N6788-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 6A TO39
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 6A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39
Αποθέμα:
12926755
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
JANTX2N6788 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
350mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800mW (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Military
Προσόν
MIL-PRF-19500/555
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-39
Συσκευασία / Θήκη
TO-205AF Metal Can
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
JANTX2N6788-DG
JANTX2N6788-MIL
150-JANTX2N6788
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTMS4807NR2G
MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC
FQB630TM
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
HUF76609D3S
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
