FDMT800120DC
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMT800120DC

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMT800120DC-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 120 V 20A (Ta), 129A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88

Αποθέμα:

273 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12848199
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMT800120DC Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
Dual Cool™, PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
120 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Ta), 129A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.14mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7850 pF @ 60 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-Dual Cool™88
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMT800120

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2156-FDMT800120DC-OS
FDMT800120DCDKR
ONSONSFDMT800120DC
FDMT800120DCTR
FDMT800120DCCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQD10N20TM

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

onsemi

FQI11N40TU

MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK

onsemi

FDP8860

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

infineon-technologies

BTS115ANKSA1

MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB