FDMS86163P

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMS86163P

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMS86163P-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN

Λεπτομερής Περιγραφή:

P-Channel 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Αποθέμα:

RFQ Online

12848315

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMS86163P Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

P-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

100 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

7.9A (Ta), 50A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

4V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

59 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±25V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

4085 pF @ 50 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-PQFN (5x6)

Συσκευασία / Θήκη

8-PowerTDFN

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDMS86163

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

FDMS86163PDKR

FDMS86163PTR

FDMS86163PCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FDFMA3N109

MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

onsemi

FDP150N10A

MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3

infineon-technologies

IPI90N04S402AKSA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3

onsemi

MTD6N20ET4G

MOSFET N-CH 200V 6A DPAK