Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDFMA3N109
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDFMA3N109-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 2.9A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Αποθέμα:
12848317
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDFMA3N109 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
220 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Isolated)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-MicroFET (2x2)
Συσκευασία / Θήκη
6-VDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDFMA3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDFMA3N109FSCT
FDFMA3N109DKR-DG
FDFMA3N109TR-DG
2832-FDFMA3N109TR
FDFMA3N109CT-DG
FDFMA3N109DKR
FDFMA3N109FSDKR
FDFMA3N109TR
FDFMA3N109CT
FDFMA3N109FSTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTLJF4156NT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
28406
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTLJF4156NT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.18
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDP150N10A
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
IPI90N04S402AKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3
MTD6N20ET4G
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
