FDMS3660S-F121
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMS3660S-F121

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMS3660S-F121-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56

Αποθέμα:

12850672
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMS3660S-F121 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13A, 30A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.7V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
29nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1765pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
1W
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Power56
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS3660

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMS3660S-F121CT
FDMS3660S_F121TR-DG
FDMS3660S-F121TR
FDMS3660S_F121CT
FDMS3660S_F121CT-DG
FDMS3660S_F121DKR-DG
FDMS3660S_F121
FDMS3660S_F121TR
FDMS3660S-F121DKR
FDMS3660S_F121DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMS3660S
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5493
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMS3660S-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.79
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

BSD235N L6327

MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363

onsemi

FW907-TL-E

MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP

onsemi

FDG6301N-F085

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88

onsemi

EFC4C002NLTDG

MOSFET 2N-CH 8WLCSP