Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMS3615S
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMS3615S-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 25V 16A, 18A 1W Surface Mount Power56
Αποθέμα:
12839367
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMS3615S Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16A, 18A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
27nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1765pF @ 13V
Ισχύς - Μέγιστη
1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Power56
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS3615
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2832-FDMS3615STR
FDMS3615SDKR
FDMS3615STR
FDMS3615SCT
FDMS3615S-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDC6304P
MOSFET 2P-CH 25V 460MA SSOT6
FDMS3622S
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56
ECH8651R-TL-HX
MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH