EFC3J018NUZTDG
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

EFC3J018NUZTDG

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

EFC3J018NUZTDG-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 23A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (1.77x3.05)

Αποθέμα:

3146 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12839406
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

EFC3J018NUZTDG Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
23A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
75nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
2.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-XFBGA, WLCSP
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-WLCSP (1.77x3.05)
Βασικός αριθμός προϊόντος
EFC3J018

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
EFC3J018NUZTDG-DG
488-EFC3J018NUZTDGDKR
ONSONSEFC3J018NUZTDG
488-EFC3J018NUZTDGTR
2156-EFC3J018NUZTDG-OS
488-EFC3J018NUZTDGCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

BSO200N03

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO

onsemi

FDMS7620S

MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56

onsemi

FDS8935

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

onsemi

EFC4618R-P-TR

MOSFET 2N-CH EFCP1818