FDMS0302S
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMS0302S

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMS0302S-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 29A/49A 8PQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 29A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Αποθέμα:

RFQ Online
12838406
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMS0302S Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Σειρά
PowerTrench®, SyncFET™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
29A (Ta), 49A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 28A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7350 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 89W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PQFN (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS0302

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
FDMS0302S
Φύλλα δεδομένων
FDMS0302S
HTML Δελτίο δεδομένων
FDMS0302S-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMS0302STR
FDMS0302SCT
2832-FDMS0302STR
FDMS0302SDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CSD17575Q3T
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Texas Instruments
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
19759
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CSD17575Q3T-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.46
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS1E280BNTB
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
35014
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS1E280BNTB-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.27
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS1E280GNTB
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
284
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS1E280GNTB-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.34
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FCU600N65S3R0

MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

onsemi

FQD3N50CTF

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

onsemi

FQB10N20LTM

MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK

onsemi

FQU13N06LTU

MOSFET N-CH 60V 11A IPAK