Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FCU600N65S3R0
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FCU600N65S3R0-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole IPAK
Αποθέμα:
441 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12838412
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FCU600N65S3R0 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Last Time Buy
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 600µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
465 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
54W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
IPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCU600
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
FCU600N65S3R0OS
2156-FCU600N65S3R0-488
FCU600N65S3R0-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTU8N70X2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
64
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTU8N70X2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.71
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FQD3N50CTF
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
FQB10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
FQU13N06LTU
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK