FDME910PZT

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDME910PZT

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDME910PZT-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET

Λεπτομερής Περιγραφή:

P-Channel 20 V 8A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin

Αποθέμα:

RFQ Online

12838944

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDME910PZT Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

P-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

20 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

8A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

24mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

1.5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

21 nC @ 4.5 V

Vgs (Μέγ.)

±8V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

2110 pF @ 10 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

2.1W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

MicroFet 1.6x1.6 Thin

Συσκευασία / Θήκη

6-PowerUFDFN

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDME910

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

5,000

Άλλα ονόματα

FDME910PZTCT

FDME910PZTDKR

FDME910PZTTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FDMC86102LZ

MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP

onsemi

FDP025N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

onsemi

FDP3682

MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3

onsemi

FDN360P

MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3